据称三星正推动 2 纳米定制 HBM 逻辑芯片的开辟
据韩国媒体报道，三星半导体正推进一项针对高带宽内存（HBM）的全新2纳米工艺项目，计划为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。报道引述业内人士称，尽管具体客户名单尚未披露，但三星HBM开发团队已经着手为下一代产品预研使用“先进至2纳米”的晶圆代工制程，为未来数代HBM解决方案奠定基础。
微信小程序
微信扫一扫体验
投稿
微信公众账号
微信扫一扫加关注
顶部